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中国怒砸180亿自己造内存!赚翻的三星受刺激突然增产

硬件世界2019-10-23 06:43:03

这一年多来内存价格的疯涨让太多人感到心痛,而问题的根源在于DRAM内存颗粒掌握在韩国三星、SK海力士和美国美光等极少数巨头手中,合计份额超过90%,很容易形成垄断,下游和市场完全没有任何周旋余地。


而内存价格的暴涨,也让三星电子赚得盆满钵满。



根据三星今天发布的2017年第三季度的财报,截止9月30日,三星季度营收为62.05万亿韩元(约合3671亿人民币),年增14.23万亿韩元,增长率高达29.8%。


运营利润14.53万亿韩元,比去年同期增长9.33万亿韩元,也就是去年同期的3倍之多,净利润11.19万亿韩元(约合662亿人民币),同比增长145%,纷纷创下新纪录。


从销售收入来看,三星电子最大块的就是DS(设备解决方案部门),其次是IM(IT、移动通讯),第三是半导体芯片(存储、图形CMOS等),第四是消费电子,最后是面板。


不过,从运营利润来看,企业级DS和半导体芯片无疑最为成功,都是10万亿韩元左右。


三星也承认,来自服务器和旗舰手机的存储芯片(NAND+DRAM)需求是推动其Q3实现逆天增长的最重要推手。



如今,中国正在各个半导体领域切入自己的力量,破除国外垄断,包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等,DRAM内存也是时候了。


中国芯片设计公司兆易创新近日发布公告,宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司(简称合肥产投)于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。


双方约定,将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆(12英寸)、19nm工艺存储器的研发项目,包括DRAM内存颗粒。


项目总预算约为180亿元人民币,兆易创新与合肥产投按照1:4的比例负责筹集。


合作目标是在2018年12月31日前研发成功,实现产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例)不低于10%。


不过兆易创新强调,本项目研发阶段设计产能较小,为2000-3000片晶圆每月,尚无法达到批量生产标准,而且中国大陆目前无DRAM产业技术积累,再加上人才引进、知识产权和设备进口等因素影响,研发能否成功存在不确定性。


即使研发成功,良率能否提升、量产能否实现,也仍然存在较大不确定性,从研发成功至量产并形成销售需要长达几年时间。


研发成功后,双方将就提升良率、扩大产能进行进一步探讨。


目前,三星DRAM已大规模采用20nm工艺,并率先量产18nm工艺。SK海力士则以25nm工艺为主,已导入21nm工艺。美光目前以30nm工艺为主,20nm工艺进入良率提升阶段。



然而有趣的是,据最新报道,三星已经决定要大力扩充DRAM的产能,SK海力士和美光也闻风有所异动。


之所以这么做,主要正是中国的存储器厂商开始发力,三星就大打反周期牌,价格拉低后一方面提升自己的领导地位,另外一方面让对手无法做高价,也就是提升了这一市场进入的门槛。


DRAMeXchange公布的预测图表来看,三星所带动的DRAM产量将在明年伊始开始有个明显的拔升,由此拉动内存市场回归到正常水平。



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